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當(dāng)前位置:首頁(yè)技術(shù)文章創(chuàng)銳光譜堅(jiān)持自主創(chuàng)新、技術(shù)獨(dú)立 推進(jìn)高端科研儀器國(guó)產(chǎn)化替代和前沿引領(lǐng)

創(chuàng)銳光譜堅(jiān)持自主創(chuàng)新、技術(shù)獨(dú)立 推進(jìn)高端科研儀器國(guó)產(chǎn)化替代和前沿引領(lǐng)

更新時(shí)間:2025-04-14點(diǎn)擊次數(shù):105
在當(dāng)下國(guó)際經(jīng)濟(jì)與科技格局中,貿(mào)易摩擦風(fēng)云變幻,深刻影響著各個(gè)領(lǐng)域的發(fā)展走向。加速科研設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程已然成為我國(guó)科研及相關(guān)產(chǎn)業(yè)持續(xù)、穩(wěn)健發(fā)展的必然選擇與迫切需求。

創(chuàng)銳光譜作為時(shí)間分辨光譜技術(shù)領(lǐng)域的企業(yè),自2016年成立之初,便堅(jiān)持走高端科研儀器自主研發(fā)、自主生產(chǎn)的發(fā)展路線。堅(jiān)持核心部件自研,將解決“關(guān)鍵技術(shù)卡脖子”問(wèn)題作為目標(biāo)。歷經(jīng)近10年的艱苦探索,已成功實(shí)現(xiàn)包括納秒激光器、OPO、高速光電探測(cè)器、高穩(wěn)定直線位移臺(tái)、單色儀等在內(nèi)的多個(gè)核心零部件研發(fā)或國(guó)產(chǎn)化替代,形成穩(wěn)定的自研及本土供應(yīng)系統(tǒng)。部分核心技術(shù)指標(biāo)更是實(shí)現(xiàn)對(duì)國(guó)外進(jìn)口設(shè)備的超越。創(chuàng)銳光譜基于深厚的技術(shù)積累與創(chuàng)新實(shí)踐,陸續(xù)構(gòu)建起涵蓋瞬態(tài)吸收系列、熒光光譜系列、非線性光學(xué)系列、高速光電探測(cè)器、高能高頻納秒激光器、泛半導(dǎo)體光學(xué)無(wú)損檢測(cè)系列等總計(jì)六大類,近30款相關(guān)產(chǎn)品,為我國(guó)科研及相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了有力的技術(shù)支撐與產(chǎn)品保障。

代表產(chǎn)品:

超快瞬態(tài)吸收光譜系統(tǒng)

 

首套國(guó)產(chǎn)超快瞬態(tài)吸收光譜系統(tǒng)
自研直線位移臺(tái)、自研高速光譜儀、自研分析軟件
時(shí)間窗口:8 ns
覆蓋光譜范圍:280-1650 nm
時(shí)間分辨率1.5x 激光脈寬
系統(tǒng)信噪比:≤10-5 OD
支持可見、近紅外成像探測(cè)
支持透射、反射等多種測(cè)試模式

全國(guó)產(chǎn)化閃光光解系統(tǒng)

 

自研單色儀、自研納秒激光器
·雙單色儀設(shè)計(jì),在樣品前分光,有效減少樣品損傷
·配備500 M示波器,時(shí)間分辨率高達(dá)2 ns
·多功能樣品室,并可搭配流動(dòng)池使用
·全自動(dòng)數(shù)據(jù)采集/分析系統(tǒng),支持多種模式數(shù)據(jù)擬合程序

高能高頻DPSS連續(xù)可調(diào)一體式激光器

 

一體式機(jī)身,高能高頻輸出,針對(duì)醫(yī)療、環(huán)境探測(cè)、激光雷達(dá)領(lǐng)域。波長(zhǎng)連續(xù)可調(diào)諧。

國(guó)產(chǎn)化百KHz雙線陣探測(cè)器

 

SiC,作為優(yōu)秀的第三代半導(dǎo)體材料,在6G技術(shù)發(fā)展、航空航天等前沿領(lǐng)域占據(jù)著重要的地位。但SiC 晶圓無(wú)損缺陷檢測(cè)技術(shù)的缺失,一直是制約我國(guó)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的難題。相關(guān)廠商每年因有損檢測(cè)導(dǎo)致的晶圓損耗金額高達(dá)千萬(wàn)元,這不僅造成資源浪費(fèi),也阻礙了產(chǎn)業(yè)的高效發(fā)展。創(chuàng)銳光譜創(chuàng)新性地將時(shí)間分辨光譜技術(shù)運(yùn)用在SiC晶圓無(wú)損檢測(cè)上,推出世界首套SiC位錯(cuò)無(wú)損檢測(cè)系統(tǒng)。這對(duì)于國(guó)內(nèi)SiC企業(yè)降本增效、從源頭上降低全行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的生產(chǎn)成本,有著積極重要的意義。

SiC晶圓襯底位錯(cuò)無(wú)損檢測(cè)系統(tǒng)

 

關(guān)鍵指標(biāo):
支持晶圓尺寸:4’/6’/8’/12’
支持晶錠尺寸:8’
位錯(cuò)類型:TED/BPD/TSD
單片檢測(cè)時(shí)間:≤5 min(自動(dòng)多倉(cāng)版);15 min(手動(dòng)版)
無(wú)損檢測(cè),可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)片片檢,全面提升晶圓良率。

創(chuàng)銳光譜愿與國(guó)內(nèi)所有科研單位及國(guó)產(chǎn)企業(yè)攜手共進(jìn),全力推動(dòng)科研設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程,共同書寫屬于中國(guó)科技的崛起篇章。
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